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“最后也是最好的FINFET节点”到底是什么回事

   2025-07-10 03:07  发布时间: 7小时前   66
核心提示:在该公司的北美技术研讨会上,台积电业务发展和海外运营办公室高级副总裁兼联合首席运营官 Kevin Zhang 称其为“最后也是最好的 finfet 节点”。本文引用地址:台积电的策略是开发 N3 工艺的多种变体,创建一个全面的、可定制的硅资源。“我们的目标是让集成芯片性能成为一个平台,”Zhang 说。截至目前,可用或计划中 N3 变体是:N3B:基准 3nm 工艺。N3E:成本优化

在该公司的北美技术研讨会上,台积电业务发展和海外运营办公室高级副总裁兼联合首席运营官 Kevin Zhang 称其为“最后也是最好的 finfet 节点”。

本文引用地址:

台积电的策略是开发 N3 工艺的多种变体,创建一个全面的、可定制的硅资源。“我们的目标是让集成芯片性能成为一个平台,”Zhang 说。

截至目前,可用或计划中 N3 变体是:

N3B:基准 3nm 工艺。

N3E:成本优化的版本,具有更少的 EUV 层数,并且没有 EUV 双重图形。它的逻辑密度低于 N3,但具有更好的良率。

N3P:N3E 的增强版本,在相同速度下性能提高 5% 或功耗降低 510%,并为混合设计提供 4% 的晶体管密度增加。

N3X:针对 HPC,它允许更高的电压和最大的时钟频率。它在 5V 电压下提供的速度比 N3P 高 1.2%。

N3S:一种高密度变体,旨在最大限度地提高晶体管密度,可能使用单鳍库,并可能采用背面供电。

N3RF:用于射频产品

N3A: 用于汽车产品

N3C:适用于超值产品



 
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