金融界 2025 年 4 月 9 日消息，国家知识产权局信息显示，山东有研半导体材料有限公司申请一项名为“一种硅单晶位错滑移线的检测方法”的专利，公开号 CN 119780115 A，申请日期为 2024 年 12 月。
专利摘要显示，本发明公开了一种硅单晶位错滑移线的检测方法，特别适用于直径大于 300mm、掺杂剂为 B 元素的晶向硅单晶位错滑移线的检测。所述方法包括：原生晶向硅单晶拉制完成后截取厚度为 2‑10mm 的样品，用去离子水将样品清洗干净；使用混合溶液对样品进行腐蚀，将样品浸入浓度为 65‑68%的硝酸和浓度为 45‑49%的氢氟酸的混合溶液，该混合溶液中氢氟酸与硝酸的体积比 HF:HNO3=10:1，浸泡时间为 30‑40min；使用目检灯对腐蚀后的结果进行判定，确定位错滑移线的位置和长度；使用 X 射线衍射形貌术对样品进行辅助判定。本发明检测方法操作简便易实现采用无铬液腐蚀并在强光灯下确定位错滑移线的位置和长度，能够排除干扰因素，准确识别到位错滑移线。权威访谈丨安徽放大科技创新优势 构建现代化产业体系致欧科技收盘下跌3.13%，滚动市盈率17.23倍，总市值69.62亿元三星堆大展拉开上海博物馆东馆开放序幕阿根廷今年以来确诊登革热病例数超10万综述：中国科技创新与世界共同前进信捷电气（603416）4月16日主力资金净流出1109.33万元法治在线丨直播间买原石稳赚上百万？别信！警惕网络直播新骗局突发强风吹雪 国道218线天山山区部分路段采取双向交通管制中证中部崛起龙头企业指数报3112.38点，前十大权重包含洛阳钼业等澳网：汤森德 西尼亚科娃夺得女双冠军万通发展收盘上涨4.46%，最新市净率1.90，总市值104.76亿元今日中国丨选择上海的理由山东有研半导体申请硅单晶位错滑移线检测方法专利，能够排除干扰因素，准确识别到位错滑移线的相关内容